DMN5L06K是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的TrenchFET技术制造。这款MOSFET专为高效率和低导通电阻设计,适用于各种电源管理应用,如负载开关、电池供电设备和DC-DC转换器。DMN5L06K具有小型化的封装设计,使其非常适合空间受限的应用场景。
类型:P沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):-6A
最大漏极-源极电压(VDS):-60V
最大栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大为27mΩ(在VGS = -10V)
功率耗散:2.5W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT223
DMN5L06K MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,这使其在同类产品中具有更低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗并提高了效率。
该器件的额定漏极-源极电压为-60V,最大漏极电流为-6A,适用于中等功率的电源管理应用。
其导通电阻最大为27mΩ,在VGS为-10V时表现尤为出色,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
DMN5L06K的栅极-源极电压范围为±20V,具有较强的栅极驱动能力,确保在各种工作条件下都能可靠导通和关断。
该器件的封装形式为SOT223,这是一种小型表面贴装封装,适用于自动化装配,同时具备良好的散热性能,有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
DMN5L06K的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
DMN5L06K MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关电路以及各种需要高效能P沟道MOSFET的电子设备。由于其低导通电阻和高效率的特点,DMN5L06K特别适合用于需要节能和高效能转换的应用场景,例如便携式电子设备和工业控制系统。此外,该器件的小型化封装设计也使其非常适合用于空间受限的设计中。
Si4435BDY, IRML2803, FDN340P