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DMN53D0LT-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:17:42 查看 阅读:10

DMN53D0LT-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET,采用小型表面贴装封装(SOT-23),适用于空间受限的便携式电子设备。该器件设计用于低电压、低功率开关应用,具有优异的导通性能和快速的开关响应时间。DMN53D0LT-7在栅极驱动电压较低的情况下仍能保持良好的导通特性,使其非常适合用于电池供电系统或需要节能设计的应用中。该MOSFET的漏源电压(V_DS)额定值为20V,连续漏极电流(I_D)可达1.8A,能够在较小的封装下提供足够的电流处理能力。其低阈值电压特性允许使用逻辑电平信号直接驱动,简化了控制电路的设计。
  DMN53D0LT-7采用先进的沟槽型工艺制造,优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡,从而降低了导通损耗和开关损耗。这种工艺还提高了器件的热稳定性和可靠性。该器件符合RoHS环保标准,并且支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线传感器网络以及其他对尺寸和功耗敏感的消费类电子产品中。

参数

型号:DMN53D0LT-7
  类型:N沟道MOSFET
  封装:SOT-23
  连续漏极电流(I_D):1.8A
  漏源击穿电压(V_DS):20V
  栅源阈值电压(V_GS(th)):1V ~ 2.5V
  导通电阻(R_DS(on)):45mΩ @ V_GS=10V, I_D=1A
  导通电阻(R_DS(on)):65mΩ @ V_GS=4.5V, I_D=1A
  最大栅源电压(V_GS):±12V
  工作结温范围(T_J):-55℃ ~ +150℃
  输入电容(C_iss):290pF @ V_DS=10V
  开启延迟时间(t_d(on)):8ns
  关断延迟时间(t_d(off)):18ns

特性

DMN53D0LT-7具备出色的导通性能,其低导通电阻R_DS(on)显著减少了在导通状态下的功率损耗,这对于提高系统的整体效率至关重要,尤其是在电池供电的应用中。当施加10V的栅极驱动电压时,该器件的典型R_DS(on)仅为45mΩ,在4.5V的较低驱动电压下也能维持65mΩ的低阻值,这表明它可以在多种电源电压环境下高效运行。这一特性使得DMN53D0LT-7特别适合用于负载开关、电源路径管理以及DC-DC转换器等需要最小化压降和热量生成的应用场景。
  该MOSFET采用了先进的沟道设计和硅工艺技术,确保了良好的载流子迁移率和稳定的电气性能。其较低的栅极电荷(Q_g)和输入电容(C_iss)有助于加快开关速度,减少开关过程中的能量损耗,从而提升高频操作下的能效表现。同时,较短的开启延迟时间和关断延迟时间进一步增强了其在高速开关电路中的适用性。此外,该器件的阈值电压范围为1V至2.5V,属于低阈值类型,能够被微控制器或逻辑门电路轻松驱动,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计并降低了成本。
  在可靠性方面,DMN53D0LT-7经过严格的质量控制和测试,能够在-55℃到+150℃的宽结温范围内稳定工作,适应各种严苛的环境条件。其SOT-23封装不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,通过PCB走线即可实现有效热传导。该器件还具备良好的抗静电能力(ESD保护)和稳健的栅氧化层设计,防止因意外过压而导致损坏。总体而言,DMN53D0LT-7凭借其高性能、小尺寸和高可靠性,成为现代低功率电子系统中理想的开关元件选择。

应用

DMN53D0LT-7广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中,尤其适用于便携式和移动设备领域。常见用途包括作为负载开关用于控制电源轨的通断,例如在智能手机和平板电脑中管理不同功能模块的供电,以实现节能待机模式或热插拔功能。它也常用于电池管理系统中,作为充放电路径上的开关元件,确保安全可靠的电流控制。此外,该器件可用于直流电机驱动电路、LED驱动电路以及小型继电器驱动器中,利用其快速响应能力和低导通损耗来提升系统效率。
  在电源管理单元(PMU)或同步整流型DC-DC转换器中,DMN53D0LT-7可作为低端开关使用,配合高端MOSFET完成高效的能量转换过程。其低输入电容和快速开关特性有助于减少开关节点的振铃现象,降低电磁干扰(EMI)。由于其兼容逻辑电平驱动,该器件可以直接由微控制器GPIO引脚控制,因此在嵌入式系统、物联网节点、传感器模块和无线通信设备中被广泛采用,用于实现对外围设备的上电时序控制或故障隔离功能。
  另外,由于SOT-23封装的小型化优势,DMN53D0LT-7特别适合高密度印刷电路板(PCB)设计,如可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等对空间极为敏感的产品。它还可用于热插拔电路、USB电源开关、I/O缓冲器以及各种模拟开关配置中。总之,凡是需要一个小型、高效、易于驱动的N沟道MOSFET的场合,DMN53D0LT-7都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

DMG2305L-7
  DMN6040L-7
  AO3400A
  SI2302DS

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DMN53D0LT-7参数

  • 现有数量3,000现货924,000Factory
  • 价格1 : ¥3.18000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)350mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.6 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)46 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-523
  • 封装/外壳SOT-523