时间：2025/4/29 8:47:56
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DMN52D0UVT 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沃特 (N-Channel) 增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，采用逻辑电平栅极驱动设计。它适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件采用 U-DFN2020-6 封装形式，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：3.8A
最大栅源电压：±8V
导通电阻（典型值，在 Vgs=4.5V 时）：16mΩ
导通电阻（最大值，在 Vgs=4.5V 时）：20mΩ
总功耗：0.7W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN52D0UVT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在栅极电压为 4.5V 时，典型值仅为 16mΩ，能够有效减少传导损耗。
2. 快速开关能力，降低开关损耗并提高系统效率。
3. 逻辑电平驱动功能，使得其可以直接由标准逻辑信号或微控制器驱动，无需额外的驱动电路。
4. 高雪崩能力和坚固性，确保在异常条件下也能可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 超小型封装（U-DFN2020-6），节省 PCB 空间，并具备良好的热性能。
DMN52D0UVT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流和初级开关。
2. 电机驱动器、负载开关以及电池保护电路。
3. 消费类电子产品的电源管理模块。
4. 固态继电器和其他需要高效功率控制的应用。
5. 手机充电器、适配器及便携式设备中的功率管理单元。
6. 工业自动化设备中的功率级开关元件。
DMN52D0UFG, DMN52D0UHT
