时间：2025/8/2 6:39:12
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DMN4800LSSQ-13 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理系统。该器件采用 8 引脚的 TSSOP 封装，具备低导通电阻、高可靠性以及良好的热稳定性，适合用于负载开关、电源管理、DC-DC 转换器以及电池供电设备等应用场景。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.8A
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -10V， 85mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP-8
DMN4800LSSQ-13 具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS = -10V 时，RDS(on) 仅为 60mΩ，而在较低的栅极电压（如 -4.5V）下，RDS(on) 也保持在 85mΩ 的较低水平，这使得该器件适用于多种驱动电压条件。
其次，该 MOSFET 支持高达 -4.8A 的连续漏极电流，适用于中等功率的开关应用。其最大漏源电压为 -30V，能够在多种电源系统中稳定工作，包括电池供电设备、便携式电子产品以及工业控制系统。
此外，DMN4800LSSQ-13 采用 TSSOP-8 封装，具有良好的热管理能力，能够在有限的空间内提供高效的散热性能。其最大功率耗散为 2.4W，在高负载条件下仍能保持稳定运行。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应性强，能够在严苛的环境条件下可靠运行。这使得 DMN4800LSSQ-13 在汽车电子、工业自动化、通信设备等领域具有广泛的应用前景。
DMN4800LSSQ-13 主要应用于需要高效能、低功耗的电源管理系统中。常见的应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统、便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机）的电源控制电路，以及工业控制系统中的功率开关模块。此外，该器件也可用于电机驱动、LED 驱动器和电源适配器等应用中。由于其良好的热性能和电气特性，DMN4800LSSQ-13 也适用于高可靠性要求的汽车电子系统，如车载充电系统、电池管理系统和车身控制模块。
Si4435BDY, NTD4858N, FDC6330L, AO4406A, DMN4800LSSQ
