型号：DMN4800LK3-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P-Channel MOSFET
　　封装/包：SOT-23 (SC-59)
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：-760mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.9A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = -10V：35mΩ 最大值
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = -4.5V：48mΩ 最大值
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = -2.5V：60mΩ 最大值
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V 典型值（范围：-0.8V 至 -2.0V）
　　输入电容（Ciss）：235pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：250°C/W（典型值）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

DMN4800LK3-13采用先进的沟槽式MOSFET工艺，在P沟道结构中实现了优异的导通性能与开关速度之间的平衡。其最大导通电阻在VGS=-10V时仅为35mΩ，即使在较低的栅极驱动电压如-4.5V或-2.5V下也能维持较低的RDS(on)，这使得它非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的电源控制应用。该器件的低栅极电荷（典型Qg为3.5nC @ VDS=15V）显著降低了驱动功耗，提高了系统整体效率。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，开启延迟时间为7ns，关断延迟时间为18ns，能够在高频开关环境中稳定运行，适用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等需要快速切换的应用场景。其输入电容Ciss为235pF，在同类产品中处于较低水平，有助于减少高频下的动态损耗。
　　DMN4800LK3-13的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在极端环境温度下的可靠运行，适用于工业级和汽车级应用需求。同时，其热阻抗RθJA约为250°C/W，表明在无额外散热措施的小型PCB布局下仍能有效散发热量。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（仅约2.8mm x 1.6mm），还便于自动化贴片生产，有利于提高组装效率并节省PCB空间。该器件符合AEC-Q101可靠性标准（部分批次可能通过认证），可用于对可靠性要求较高的车载电子模块中。此外，其无铅、无卤素的设计满足现代电子产品对环保法规的要求，包括RoHS和WEEE指令，适合出口型产品的合规性设计。

DMN4800LK3-13广泛应用于各类低功率、高效率的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池供电管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于控制不同功能模块的电源通断以实现节能待机模式。它也常被用作高端负载开关，替代传统的机械开关或双极晶体管，提供更长寿命和更低的静态功耗。
　　在电源管理系统中，该器件可用于反向电流阻断电路、OR-ing二极管替代方案以及多电源路径选择控制，利用其低导通电阻减少压降和发热。此外，在DC-DC降压或升压转换器中，DMN4800LK3-13可作为同步整流管使用，提升转换效率，尤其适用于轻载条件下的高效运行。
　　该MOSFET还适用于各类信号路由和模拟开关应用，例如音频通道切换、传感器电源控制、I2C总线隔离等场景。其快速的开关特性使其能够配合数字控制器实现精确的时序控制，而低漏电流则有助于延长电池使用寿命。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC输入输出模块、智能传感器节点、远程监控终端等设备中的局部电源管理单元。其宽温工作能力和高可靠性也使其适用于汽车电子中的车身控制模块（BCM）、车灯控制、车窗升降器驱动辅助电路等非主驱类应用。此外，消费类电子产品如无线耳机充电盒、USB接口保护电路、LED背光调光控制等也是其典型应用场景。

DMG2305L-7
　　AO3415
　　FDC6330L