DMN4060SVTQ 是一款 N 沟道逻辑增强型功率 MOSFET,属于 Vishay Siliconix 的 SiHF 系列。该系列器件采用小型封装技术,旨在提高功率密度和效率,同时减少电路板空间占用。DMN4060SVTQ 适用于高频开关应用以及需要低导通电阻的场合。
型号:DMN4060SVTQ
品牌:Vishay Siliconix
类型:N-Channel Logic-Level Power MOSFET
封装:PowerPAK? SC-70
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值):25mΩ @ Vgs=10V
Id(连续漏极电流):2.3A
栅极电荷(Qg):3nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
功耗:0.34W
DMN4060SVTQ 具有非常低的导通电阻 Rds(on),这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
该器件采用了先进的工艺制造,确保了在高频下的快速开关性能。
其小尺寸 PowerPAK? SC-70 封装非常适合于空间受限的设计,并且具备出色的散热性能。
DMN4060SVTQ 还具有较低的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss,从而减少了驱动器功耗。
此外,该器件支持较宽的工作温度范围,使其能够适应各种恶劣环境。
DMN4060SVTQ 广泛应用于便携式电子设备中,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等的电源管理部分。
它可用于 DC/DC 转换器、负载开关、电池保护电路、同步整流器以及其他需要高效开关操作的场景。
由于其低导通电阻和小型封装,这款 MOSFET 非常适合要求高功率密度和高效率的设计。
DMN4060SCTQ, DMN4060UQTQ