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DMN4027SSD 发布时间 时间:2025/5/24 10:03:39 查看 阅读:2

DMN4027SSD是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用小型化的SOT26封装,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,非常适合用于消费类电子设备、计算机外设以及通信产品中的电源管理应用。其出色的性能使其在负载开关、DC-DC转换器和电池保护电路中表现出色。
  DMN4027SSD的工作电压范围较宽,能够承受高达60V的漏源极电压(Vds),同时提供非常低的导通电阻以减少功率损耗并提高效率。

参数

最大漏源极电压(Vds):60V
  最大栅源极电压(Vgs):±20V
  持续漏电流(Id):5.1A
  导通电阻(Rds(on)):0.038Ω
  栅极电荷(Qg):11nC
  结温范围(Tj):-55℃至175℃

特性

DMN4027SSD的主要特点是其低导通电阻,这有助于降低传导损耗,从而提升整体系统的能效。此外,它还具备高雪崩能量能力,增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
  该器件采用了先进的制程技术,在保持高性能的同时实现了小尺寸封装,这对于空间受限的设计非常重要。快速开关特性和较低的输入电容也使得DMN4027SSD成为高频开关应用的理想选择。
  另外,由于其较高的结温范围,这款MOSFET能够在严苛环境下可靠运行,满足工业和汽车领域对耐久性的要求。

应用

DMN4027SSD广泛应用于多种电子系统中,包括但不限于:
  - 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关
  - 笔记本电脑适配器及充电器的同步整流
  - DC-DC转换器中的开关元件
  - 各类电池供电产品的保护电路
  - LED驱动器和小型电机控制
  凭借其高效能和紧凑型设计,这款MOSFET特别适合需要高密度集成和节能的场合。

替代型号

DMN4027USG
  DMN4027SMD
  DMN4027LSD

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