DMN4027SSD是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用小型化的SOT26封装,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,非常适合用于消费类电子设备、计算机外设以及通信产品中的电源管理应用。其出色的性能使其在负载开关、DC-DC转换器和电池保护电路中表现出色。
DMN4027SSD的工作电压范围较宽,能够承受高达60V的漏源极电压(Vds),同时提供非常低的导通电阻以减少功率损耗并提高效率。
最大漏源极电压(Vds):60V
最大栅源极电压(Vgs):±20V
持续漏电流(Id):5.1A
导通电阻(Rds(on)):0.038Ω
栅极电荷(Qg):11nC
结温范围(Tj):-55℃至175℃
DMN4027SSD的主要特点是其低导通电阻,这有助于降低传导损耗,从而提升整体系统的能效。此外,它还具备高雪崩能量能力,增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
该器件采用了先进的制程技术,在保持高性能的同时实现了小尺寸封装,这对于空间受限的设计非常重要。快速开关特性和较低的输入电容也使得DMN4027SSD成为高频开关应用的理想选择。
另外,由于其较高的结温范围,这款MOSFET能够在严苛环境下可靠运行,满足工业和汽车领域对耐久性的要求。
DMN4027SSD广泛应用于多种电子系统中,包括但不限于:
- 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关
- 笔记本电脑适配器及充电器的同步整流
- DC-DC转换器中的开关元件
- 各类电池供电产品的保护电路
- LED驱动器和小型电机控制
凭借其高效能和紧凑型设计,这款MOSFET特别适合需要高密度集成和节能的场合。
DMN4027USG
DMN4027SMD
DMN4027LSD