类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　连续漏极电流（ID）：-600mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.8A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：95mΩ @ VGS = -4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：75pF
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：12ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-59)
　　导通状态电阻最大值：95 mΩ
　　功率耗散（PD）：300mW

DMN4010LK3具备优异的导通电阻特性，在VGS = -10V时，典型RDS(on)仅为65mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动条件VGS = -4.5V下，其RDS(on)也仅为95mΩ。这一低导通电阻特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率，尤其适用于电池供电设备中对能效要求较高的应用。低RDS(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于提升系统的可靠性和稳定性。此外，该器件的低输入电容（Ciss = 75pF）和快速开关时间（开启延迟4ns，关断延迟12ns）使其能够实现高速开关操作，适用于需要快速响应的数字控制电路。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，属于低阈值电压器件，能够被3.3V甚至更低的逻辑电平有效驱动，无需额外的电平转换电路。这使得它可以直接连接到微控制器、FPGA或其他数字逻辑器件的GPIO引脚，简化了电路设计并节省了外围元件。其P沟道结构特别适合用于高边开关配置，例如在电源路径控制中实现负载开关或防止反向电流流动。当用于高边驱动时，器件在关闭状态下可以完全切断负载与电源之间的连接，提供有效的电源隔离功能。
　　DMN4010LK3采用SOT-23封装，体积小巧，仅占用极少的PCB空间，非常适合高密度布局的便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块和物联网终端等。该封装还具备良好的热传导性能，结合适当的PCB布局（如添加散热焊盘和过孔），可以有效将工作时产生的热量传导至PCB，从而提高功率处理能力。此外，器件的工作结温可达+150°C，具有良好的热稳定性，能够在较宽的环境温度范围内可靠工作。
　　从可靠性角度看，DMN4010LK3通过了严格的生产测试和质量控制流程，具备高抗静电能力（HBM ESD rating typically >2kV），能够在实际生产和使用环境中抵御常见静电放电事件。其符合AEC-Q101汽车级认证的部分版本也表明其在恶劣环境下的稳定性和耐用性。总之，该器件集低导通电阻、低驱动电压、小封装和高可靠性于一体，是现代低功耗电子系统中理想的功率开关选择。

便携式电子设备中的电源开关控制
　　电池供电系统的负载开关与电源管理
　　高边P沟道开关电路设计
　　反向电流保护与电源反接保护电路
　　逻辑电平转换与信号路径切换
　　小型电机驱动与继电器驱动接口
　　USB电源开关及外设供电控制
　　消费类电子产品中的低功耗开关应用

DMG4010LFSN-7
　　DMP4010SK3-7
　　SI2302CDS-T1-E3
　　FDC630P
　　NTR4003PT1G