时间：2025/12/24 4:27:56
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DMN39M1LSS是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET晶体管，采用DFN2020-6封装形式。该器件专为低电压应用而设计，具有极低的导通电阻和较小的封装尺寸，非常适合空间受限的应用场景。其出色的电气性能使其成为便携式电子设备、电池供电系统和高效能开关电路的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：3.5A
导通电阻(Rds(on))：7mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷(Qg)：6nC
总电容(Ciss)：125pF
工作温度范围(Tamb)：-55℃至+150℃
DMN39M1LSS具有超低的导通电阻，可显著降低功率损耗并提高系统效率。同时，其小尺寸DFN2020-6封装适合高密度布局设计，且具备优良的热性能。此外，该器件还具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，非常适合高频开关应用。
主要特点包括：
- 极低的Rds(on)，提升效率
- 小型化封装，节省PCB空间
- 快速开关性能
- 宽广的工作温度范围
- 高可靠性与稳定性
DMN39M1LSS广泛应用于消费类电子产品、工业控制和通信领域。典型应用包括：
- 便携式设备中的负载开关
- DC/DC转换器和电源管理模块
- 电池管理系统(BMS)
- 电机驱动和控制电路
- 保护电路和电子保险丝
- 各种高效能开关应用
DMN3039UFQ, DMN2998LSS
