时间：2025/5/8 18:43:17
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DMN3732UFB4 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用微型 U-DFN2018-6L 封装，适合需要低功耗、高效率的应用场景。它具有较低的导通电阻和极小的封装尺寸，非常适合空间受限的设计。其典型应用包括负载开关、便携式设备中的电源管理以及信号切换等。
DMN3732UFB4 的工作电压范围为 2.5V 至 20V，能够承受较高的瞬态电压，同时具备快速开关性能和出色的热稳定性。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：3nC
总功耗：320mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：U-DFN2018-6L
DMN3732UFB4 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 小型化封装设计，适用于空间紧凑的电路板布局。
3. 支持较宽的工作电压范围，增强了设计灵活性。
4. 快速开关速度，减少开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 高可靠性，能够在恶劣环境下长期运行。
该 MOSFET 常用于以下领域：
1. 负载开关，用于控制不同负载的供电状态。
2. 电池供电设备中的电源管理，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
3. 数据通信接口保护，如 USB 端口的过流保护。
4. 固态继电器和信号切换。
5. 便携式医疗设备及物联网设备的电源管理。
6. 任何需要高效功率传输和快速响应的场合。
DMN3732UFCE
DMN3732SFCE
BSS138
FDC6592T
