时间：2025/6/4 2:13:53
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DMN3401LDWQ是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET晶体管，采用DFN2020-8封装形式。该器件主要应用于负载开关、电源管理、电池保护等场景。其设计特点包括低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：2.4A
导通电阻(Rds(on))：6mΩ
总栅极电荷(Qg)：9nC
功耗(PD)：710mW
工作温度范围(Ta)：-55°C至150°C
DMN3401LDWQ具备极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
其小型化的DFN2020-8封装非常适合空间受限的设计，同时具有出色的散热能力。
该器件还支持快速开关操作，可有效减少开关损耗，并且能够承受较高的脉冲电流。
此外，DMN3401LDWQ拥有较宽的工作温度范围，确保在恶劣环境下依然可靠运行。
该MOSFET广泛用于便携式电子设备中的负载开关功能，例如智能手机和平板电脑。
它也常出现在DC-DC转换器、降压或升压稳压器等电源管理系统中。
此外，在USB端口保护、电池供电设备和汽车电子系统中也有广泛应用。
DMN3029LSDQ
NTMFS4C62NL
Si3402DL
