时间：2025/4/29 14:23:21
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DMN3350LDWQ是一款由Diodes公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT26封装。该器件属于逻辑电平驱动的P沟道增强型MOSFET，适用于低电压、高效率开关应用。其设计优化了导通电阻和栅极电荷，能够在电池供电设备和消费类电子中提供优异的性能。
DMN3350LDWQ的工作电压范围宽广，具有较低的导通电阻，同时具备快速开关能力，因此非常适合于负载开关、电源管理以及便携式设备中的电源路径控制。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：-1.8A
导通电阻（典型值）：0.19Ω
栅极-源极电压：-1.8V to 0V
功耗：420m55°C to 150°C
封装类型：SOT26
DMN3350LDWQ具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在低电压下表现出色，能够减少功率损耗并提升系统效率。
2. 小尺寸SOT26封装，适合空间受限的应用场合。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，提高高频操作下的性能。
4. 宽泛的工作电压范围，适用于多种电源管理场景。
5. 高可靠性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
DMN3350LDWQ广泛应用于以下领域：
1. 负载开关：用于笔记本电脑、平板电脑及智能手机等便携式设备中的电源分配。
2. 电源管理：在DC/DC转换器、降压升压电路以及电池充电保护电路中发挥关键作用。
3. 电机驱动：为小型直流电机提供高效的驱动和控制功能。
4. 开关调节器：作为功率级元件参与构建高效的开关模式电源解决方案。
5. 保护电路：用作过流保护、短路保护等功能模块的核心组件。
DMN2990USG, DMN2990DG, BSS138
