时间：2025/4/29 17:02:48
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DMN31D6UT是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用SOT23-3封装。该器件以其低导通电阻和快速开关特性著称，适用于多种电源管理应用。DMN31D6UT在便携式设备、消费电子以及电信产品中有着广泛应用。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3.1A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（在Vgs=4.5V时）
功耗(Pd)：400mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMN31D6UT具有非常低的导通电阻，在特定的工作条件下能显著降低功率损耗，提高效率。
其小型SOT23-3封装适合空间受限的设计，同时具备良好的散热性能。
它还拥有较快的开关速度，非常适合高频开关应用。
此外，DMN31D6UT的高雪崩能力和鲁棒性使其能够在严苛的电气环境中稳定运行。
DMN31D6UT广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路、电机驱动器以及其他需要高效功率开关的应用场景中。由于其小尺寸和高性能，它特别适合移动设备、可穿戴技术及各种便携式电子产品中的电源管理任务。
DMN29D6UT, DMN30D6UHT
