时间：2025/6/24 12:19:11
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DMN3135LVT 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺设计，具有低导通电阻、快速开关特性和高效率等特点，适用于各种功率转换和负载切换应用。DMN3135LVT 封装为微型的 LLP2-1.8（SOT885），非常适合空间受限的设计场景。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.7A
导通电阻(Rds(on))：9mΩ
栅极电荷(Qg)：3nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：LLP2-1.8（SOT885）
DMN3135LVT 是一款高性能的 MOSFET，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，提高系统效率。
3. 小型封装 LLP2-1.8（SOT885），节省 PCB 空间。
4. 高雪崩能量能力，提升器件在异常情况下的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 支持高温操作，适应严苛的工作环境。
DMN3135LVT 广泛应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电池保护电路。
4. 数据通信设备中的信号切换。
5. 各类消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 工业控制系统的驱动电路。
DMN3035LHT, DMN2998LDT
