时间：2025/7/9 3:07:29
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DMN3112SQ-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于各种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。它采用小尺寸的 SOT563 封装，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：1.9A
导通电阻（典型值）：40mΩ
栅极电荷：2.8nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装类型：SOT563
DMN3112SQ-7 提供了非常低的导通电阻以减少功率损耗，从而提高了整体效率。其快速的开关性能使得它可以适应高频开关应用，同时保持较低的开关损耗。
此外，该器件具备良好的热稳定性，在高温环境下也能正常工作。由于采用了 SOT563 小型封装，因此特别适合便携式设备和其他对 PCB 空间要求较高的应用。
DMN3112SQ-7 广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。具体应用包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流
2. DC-DC 转换器中的开关管
3. 手机和平板电脑中的负载开关
4. USB 充电器及适配器设计
5. 小型电机驱动电路
6. 各种保护电路，例如过流保护和短路保护
DMN3027USQ-7
DMN3026LSS-7
BSC018N06NS3
AO3400
