时间：2025/7/10 7:27:21
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DMN3112S是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用DFN3030-8封装形式，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能、高密度的电源管理应用。其工作电压范围为30V，能够满足广泛的工业和消费类电子需求。
DMN3112S的设计目标是提供卓越的性能和可靠性，同时减小电路板空间占用。由于其紧凑的尺寸和出色的电气特性，它非常适合用于便携式设备、计算机外设、通信系统以及DC-DC转换器等应用。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：6.7A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：6nC
总热阻(结到环境)：148°C/W
工作温度范围：-55°C至150°C
DMN3112S具备超低导通电阻和优秀的开关性能，这使其在高频工作条件下依然能够保持高效率。此外，器件采用了先进的制造工艺，确保了稳定的电气特性和长期可靠性。以下是其主要特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 小型化DFN3030-8封装，节省PCB空间。
4. 高度可靠的性能表现，适用于严苛的工作环境。
5. 支持大电流操作，适合多种功率转换场景。
DMN3112S广泛应用于需要高效功率转换和小型化设计的领域。典型应用包括：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率级元件。
3. 电池供电设备中的负载开关控制。
4. 消费类电子产品中的保护电路设计。
5. 工业自动化设备中的驱动电路组件。
DMN3029LSD-13,
DMN3029USDD-13,
DMN3029SDD-13
