时间：2025/5/21 12:53:54
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DMN3067LW 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型化的 LLP2525-8 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能电源转换和负载切换应用。
其出色的电气性能和紧凑的封装使其成为便携式电子设备、通信系统以及消费类电子产品中的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（典型值）：12mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：1140pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：LLP2525-8
DMN3067LW 具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，它的快速开关能力可以降低开关损耗，非常适合高频应用。
该器件还具备良好的热稳定性，在较宽的工作温度范围内能够保持稳定的性能。
另外，它的小型化封装设计减少了 PCB 空间占用，非常适合对尺寸敏感的设计项目。
DMN3067LW 广泛应用于 DC-DC 转换器、电池管理电路、电机驱动、负载开关以及其他需要高效率和快速响应的应用场景。
由于其出色的性能和可靠性，这款 MOSFET 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他便携式设备中也得到了广泛应用。
DMN2990LW, DMN3037UFQ
