时间：2025/6/30 23:24:32
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DMN3051LDM-7-F 是一款 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），由 Diodes Incorporated 生产。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
这款 MOSFET 的设计注重效率和性能，在低电压应用中表现出色，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻：3.5mΩ
总栅极电荷：10nC
开关速度：快速
封装形式：SO-8
DMN3051LDM-7-F 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 3.5mΩ，可显著减少传导损耗。
2. 快速开关性能，得益于其低栅极电荷和优化的内部结构。
3. 高电流承载能力，连续漏极电流高达 6.4A，适合大功率应用。
4. 紧凑的 SO-8 封装，便于 PCB 布局设计，并提供良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 宽工作温度范围：-55°C 至 +150°C，适应各种环境条件。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 负载开关，用于电池供电设备中的电源管理。
4. 电机驱动电路，控制小型直流电机或步进电机。
5. 保护电路，如过流保护和短路保护。
6. 其他需要高效功率切换的应用场景。
DMN3051UFQ-7,
DMN3059LDM-7,
NTMFS4828N
