时间：2025/6/28 15:10:50
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DMN3033LSNQ-7 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用超小型 LGA 封装，适用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和高开关速度使其非常适合于高效的电源管理设计，包括负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备等。
DMN3033LSNQ-7 的主要特点是其极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，从而降低了传导损耗和开关损耗。此外，它具备出色的热性能，能够支持高功率密度的设计。
型号：DMN3033LSNQ-7
类型：N沟道MOSFET
封装：LGA-8
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3.3A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ(典型值，在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg)：5nC
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
结温(Tj)：-55°C 至 +175°C
DMN3033LSNQ-7 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功耗并提高效率。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 超小型封装，节省电路板空间。
4. 出色的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行。
5. 支持宽范围的工作电压，适应多种电源管理需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
DMN3033LSNQ-7 主要应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和多相 VR 控制器。
3. 便携式电子产品的电源管理。
4. 电池保护和管理系统。
5. USB Type-C 和 PD 接口保护。
6. 消费类电子产品中的高效能开关解决方案。
DMN3029USNQ-7, DMN3027LSNQ-7
