DMN3033LSDQ 时间：2025/6/27 3:57:26 阅读：6

DMN3033LSDQ 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沱道沟功率 MOSFET，采用 LFPAK56E 封装。该器件专为高效率、低功耗的应用场景设计，适用于需要低导通电阻和快速开关性能的电路。
　　这款 MOSFET 以其卓越的电气特性和紧凑的封装形式，在消费电子、工业设备及通信系统中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：42A
　　导通电阻（典型值）：1.7mΩ
　　栅极电荷：18nC
　　反向恢复时间：19ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃

特性

DMN3033LSDQ 具有超低的导通电阻和极低的栅极电荷，这使得它非常适合高频开关应用。其 LFPAK56E 封装提供了优异的散热性能，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
　　此外，该器件还具有快速的开关速度和较低的反向恢复时间，从而减少了开关损耗并提升了整体效率。
　　由于其高电流承载能力和宽泛的工作温度范围，DMN3033LSDQ 在各种恶劣环境下也能保持稳定可靠的性能。

应用

DMN3033LSDQ 常用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理模块以及负载开关等应用领域。
　　在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可以作为同步整流器使用，提升转换效率并降低热损耗。
　　在电机驱动应用中，它的高电流处理能力使其能够轻松应对大功率电机的启动和运行需求。
　　此外，它也适用于 USB Type-C PD 控制器中的负载开关，确保快速响应和高效能量传输。