型号：DMN3030LSS
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.9A（@TC=70℃）
　　导通电阻RDS(on)：55mΩ（@VGS=-10V）
　　导通电阻RDS(on)：65mΩ（@VGS=-4.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：420pF（@VDS=15V）
　　功耗（PD）：1.5W（@TC=25℃）
　　工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT26

DMN3030LSS采用先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够在保持较小芯片面积的同时实现极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高整体能效。其RDS(on)在-10V栅极驱动下仅为55mΩ，在-4.5V条件下也仅为65mΩ，这使得它在低电压应用中表现出色，尤其是在3.3V或5V系统中作为开关元件时具有明显优势。此外，该器件的低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关响应速度，减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频操作下的效率。
　　该器件具备出色的热性能，得益于SOT26封装的优化散热设计，可以在有限的空间内有效传导热量，延长使用寿命并提升系统稳定性。其-30V的漏源击穿电压为大多数低压直流系统提供了足够的安全裕量，适用于锂电池供电系统（如单节或双节锂离子电池组），并且能够承受一定的电压瞬变而不损坏。内部寄生二极管具有良好的反向恢复特性，有助于防止感性负载关断时产生的反向电动势对系统造成损害。
　　DMN3030LSS还具有良好的抗静电（ESD）能力和较高的可靠性，在生产过程中经过严格的质量控制流程，符合RoHS环保要求，并通过了无卤素认证。器件支持回流焊工艺，适合自动化表面贴装生产，提高了制造效率。其P沟道特性使其在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现负载通断控制，进一步简化了电源管理架构的设计复杂度。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代紧凑型电子产品的理想选择。

DMN3030LSS广泛应用于需要高效、小型化功率开关的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源开关和电池管理系统，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模块供电控制以及外设电源启停管理。由于其支持逻辑电平驱动，常被用于微控制器GPIO引脚直接控制的负载开关电路，实现对外部模块的上电时序控制或节能模式下的断电功能。
　　在工业控制领域，该器件可用于传感器模块、小型继电器驱动电路或低功率电机控制，特别是在空间受限的PCB布局中表现优异。此外，它也被应用于各类DC-DC转换器的同步整流部分，用作续流或输出整流MOSFET，以替代传统肖特基二极管，从而降低压降和功耗，提升转换效率。
　　在汽车电子方面，尽管其非专门针对高功率应用，但凭借AEC-Q101认证，仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理或LED照明控制等低压系统中。此外，在物联网（IoT）设备、无线耳机充电盒、智能手表等可穿戴设备中，DMN3030LSS因其小尺寸和低静态功耗特性而成为理想的电源通断控制元件。总之，任何需要可靠、高效、小型P沟道MOSFET的低压开关应用均可考虑使用此器件。

DMG2302UK-7
　　SI2302DS-T1-E3