型号：DMN3029SK3-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大漏极电流（Id）：-2.3A
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ @ Vgs = -10V
　　导通电阻Rds(on)：60mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻Rds(on)：85mΩ @ Vgs = -2.5V
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　栅极电荷（Qg）：5.5nC @ Vgs = -10V
　　输入电容（Ciss）：220pF @ Vds = -15V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

DMN3029SK3-13具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与快速开关响应的结合，这使得它在电池供电系统中能够有效降低功率损耗，提升整体能效。该器件的Rds(on)在Vgs = -10V时仅为45mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，显著减少了导通状态下的I2R损耗，有助于延长移动设备的续航时间。
　　其栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，支持低电压逻辑直接驱动，兼容3.3V甚至更低的控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg = 5.5nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，进一步降低了动态损耗，提升了高频开关应用中的效率。
　　DMN3029SK3-13采用SOT-23小型封装，体积紧凑，适合空间受限的应用场合。尽管封装尺寸小，但其热阻特性经过优化，能够在良好布局条件下有效散热。器件的工作结温可达+150°C，具备较强的环境适应能力，可在高温工业环境或密闭设备中稳定运行。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，在瞬态负载变化或短时过流情况下表现出较高的鲁棒性。其内部结构设计减少了寄生参数的影响，提高了开关波形的完整性，降低了电磁干扰（EMI）风险。此外，产品通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于对可靠性要求较高的汽车电子模块。
　　总体而言，DMN3029SK3-13是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，凭借其低Rds(on)、低Qg、宽温度范围和小型封装，在便携式电源管理、负载开关、DC-DC转换器同步整流等应用中展现出强大的竞争力。

DMN3029SK3-13主要应用于需要高效、低功耗开关控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的电池电源开关，用于控制电池向主系统的供电通断，实现节能待机或安全关断功能。在这些设备中，该MOSFET作为高端开关使用，配合控制器实现软启动和反向电流阻断。
　　在DC-DC降压转换器中，DMN3029SK3-13常被用作同步整流器的上管，替代传统肖特基二极管以减少导通压降和功率损耗，从而提高转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现突出。其快速开关特性也有助于提升电源环路的动态响应速度。
　　该器件也广泛用于各种负载开关电路，如为处理器、传感器或外设模块独立供电的控制回路中，能够实现精确的上电时序控制和故障保护。由于其具备低静态电流和低控制门槛，非常适合由微控制器GPIO直接驱动的应用。
　　此外，DMN3029SK3-13还可用于电机驱动、LED驱动、热插拔电路和逆变器中的低端开关应用。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、蓝牙耳机和USB充电设备中均有广泛应用。其小型化封装和高集成度特点，使其成为现代高密度PCB设计的理想选择。
　　在工业控制和汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、ECU辅助电源管理、车灯控制模块等对空间和效率有严格要求的场合。由于其工作温度范围宽，也能适应较为严苛的运行环境。

SI2301-DS-T1-E3
　　AO3401A
　　FDS6679A
　　ZXM61P02