时间：2025/6/22 11:50:13
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DMN3028LQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用超小型的 LLP2.5x2.0-8 封装形式，非常适合空间受限的应用场景。其低导通电阻和高开关速度的特点使其成为便携式设备、消费电子及工业应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：6mΩ
栅极电荷：11nC
总功耗：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LLP2.5x2.0-8
DMN3028LQ 提供了非常低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高效率。
它具备快速开关性能，适用于高频开关应用。
此器件具有较高的漏极电流能力，在多种负载条件下表现出色。
由于其小巧的封装设计，使得 DMN3028LQ 成为需要节省空间的设计的理想解决方案。
此外，DMN3028LQ 支持宽泛的工作温度范围，确保在各种环境条件下的可靠运行。
DMN3028LQ 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路以及电源管理模块等领域。
在消费电子产品中，例如智能手机和平板电脑，该器件被用作高效的开关元件。
此外，它也常见于工业自动化设备中的功率控制和信号切换功能。
其出色的热稳定性和电气性能还使它适合汽车电子系统中的某些应用。
DMN3029LQ
DMN3027LQ
