时间：2025/12/26 12:27:17
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DMN3027LFG-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23（也称为SOT-23-3）表面贴装封装。该器件专为低电压、低功率开关应用设计，具备优良的导通电阻和栅极电荷特性，适用于便携式电子设备中的负载开关、电源管理及信号切换等场景。其紧凑的封装形式和高性能参数使其成为空间受限应用的理想选择，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统。DMN3027LFG-13在制造工艺上采用了先进的沟道技术，确保了稳定的电气性能和高可靠性。该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品生产流程。
类型：P沟道
漏源电压（Vds）：-30V
连续漏极电流（Id）：-2.7A
脉冲漏极电流（Idm）：-8.1A
功耗（Pd）：300mW
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
存储温度（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
栅源阈值电压（Vgs(th)）：-1V ~ -2V
静态漏源导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs = -10V
静态漏源导通电阻（Rds(on)）：60mΩ @ Vgs = -4.5V
栅极电荷（Qg）：4.5nC @ Vds = -15V, Id = -1.35A
输入电容（Ciss）：235pF @ Vds = -15V
开启延迟时间（td(on)）：4ns
关断延迟时间（td(off)）：9ns
DMN3027LFG-13具备出色的导通性能与快速开关响应能力，其在-10V栅源电压下的典型Rds(on)仅为45mO，在-4.5V条件下也仅为60mO，这意味着即使在较低的控制电压下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。
该器件具有低栅极电荷（Qg=4.5nC），有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，特别适合高频开关操作的应用场合。同时，其输入电容Ciss为235pF，进一步优化了高频性能，降低了开关过程中的动态损耗。
热稳定性方面，DMN3027LFG-13可在结温范围-55℃至+150℃内稳定工作，具备良好的过温耐受能力，能够在严苛环境条件下维持正常运行。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。
此外，该MOSFET的阈值电压范围为-1V到-2V，保证了可靠的开启与关断控制，避免因噪声干扰导致误动作。整体设计兼顾了功耗、尺寸与可靠性，是现代便携式电子设备中理想的功率开关元件。
广泛应用于移动设备中的电源开关、电池供电系统的负载切换、DC-DC转换器中的同步整流、LED背光驱动电路、USB端口的过流保护与热插拔控制、音频信号路径选择以及各类低电压逻辑电平转换电路。由于其小尺寸和高性能特点，特别适合用于智能手机、智能手表、蓝牙耳机、便携式医疗设备和其他对空间和功耗敏感的消费类电子产品。
DMG3415L-7,DMP3027LSS-7
