时间：2025/5/13 17:31:04
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DMN3025LSS是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用超小型DFN1610-4封装。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度，适用于要求高效率和小尺寸的应用场景。其工作电压范围为30V，并且在消费电子、移动设备以及工业应用中表现出优异性能。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：2.5A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
总栅极电荷(Qg)：3.5nC
输入电容(Ciss)：105pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMN3025LSS采用DFN1610-4封装，体积小巧，适合空间受限的设计。
该器件具备较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
MOSFET具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
其快速开关能力使得DMN3025LSS非常适合高频开关电源和负载切换应用。
由于其低栅极电荷和优化的开关特性，可显著降低开关损耗。
该芯片广泛应用于便携式电子设备中的负载开关。
它适用于DC-DC转换器和电池管理电路。
还常见于USB充电端口保护、音频放大器和LED驱动等应用领域。
DMN3025LSS也适用于需要紧凑设计的小型化产品，例如智能手机和平板电脑。
DMN2998LSS
BSC019N06LS G
FDS6670A
