类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：-4.1A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -10V：45mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：58mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：95mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：-1V ~ -2V
　　输入电容（Ciss）：490pF @ VDS = 15V
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-363 (SC-88)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1

DMN3024SFG-7采用先进的TrenchFET工艺制造，这种技术通过在硅片上构建垂直沟道结构，显著提高了单位面积下的载流子迁移率，从而实现更低的导通电阻和更高的电流密度。相比于传统的平面型MOSFET，TrenchFET结构能够有效减少JFET效应带来的电阻分量，使得RDS(on)大幅降低，在相同封装尺寸下提供更强的功率处理能力。该器件在VGS = -10V时的典型RDS(on)仅为45mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动条件下（如VGS = -4.5V），其导通电阻也仅为58mΩ，表现出优异的低电压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接控制的开关电路。
　　除了出色的静态电气特性外，DMN3024SFG-7还具备优秀的动态性能。其输入电容（Ciss）仅为490pF，在高频开关应用中可减少驱动损耗并提升转换效率。较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）有助于抑制开关瞬态过程中的振荡现象，提高系统的EMI表现。同时，反向恢复时间（trr）为16ns，表明其体二极管具有较快的响应速度，适用于存在反向电流需求的拓扑结构，如H桥驱动或同步整流电路。
　　该器件采用SOT-363（SC-88）六引脚小型封装，不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能。尽管封装小巧，但通过优化内部连接布局和使用低热阻材料，确保了足够的热传导路径，使其能在较高功率下稳定运行。工作结温范围覆盖-55°C至+150°C，满足严苛环境下的可靠性要求，适用于工业控制、汽车电子外围电路及便携式医疗设备等领域。此外，±20V的栅源电压耐受能力提供了额外的安全裕度，防止因电压瞬变导致的器件损坏。综合来看，DMN3024SFG-7在性能、尺寸与可靠性之间达到了良好平衡，是现代高密度电子产品中理想的功率开关元件。

DMN3024SFG-7因其小尺寸、低导通电阻和良好的开关特性，被广泛应用于各类需要高效功率控制的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与负载开关控制。在这些应用中，该器件可用于实现不同电源域之间的快速切换，以达到节能目的。此外，它也常用于DC-DC转换器的同步整流电路中，作为低端开关管来替代传统肖特基二极管，从而降低导通压降和能量损耗，提升整体转换效率。
　　在工业自动化与通信设备领域，DMN3024SFG-7可用于接口保护电路、热插拔控制器以及多路电源选择开关。其快速响应能力和稳定的电气参数使其能够在电源上电或断电过程中有效防止电流倒灌和电压过冲，保障后级电路安全。同时，由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器GPIO引脚控制，简化了驱动电路设计，降低了系统成本。
　　该器件还适用于电机驱动、LED驱动电源和小型家电控制板等应用场景。在H桥驱动电路中，它可以作为P沟道上管使用，配合N沟道下管完成方向控制；在LED背光驱动中，则可用于调节电流路径通断，实现亮度调光功能。另外，得益于其高可靠性和宽温工作范围，也可用于汽车电子中的非动力总成系统，如车载信息娱乐系统电源管理、传感器供电控制等。总之，DMN3024SFG-7凭借其优异的综合性能，成为众多低电压、中等电流功率开关应用中的优选方案。

AO3415
　　DMG3415L
　　FDC6312P
　　NTR4101P