时间：2025/6/27 11:28:02
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DMN3024LSD-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型SOT23-3封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于便携式设备、消费电子以及工业应用中的电源管理电路。
这款MOSFET主要用于开关模式电源、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的高效电流控制。其出色的性能和紧凑的尺寸使其成为众多低功率应用的理想选择。
型号：DMN3024LSD-13
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT23-3
Vds（漏源极击穿电压）：24V
Rds(on)（导通电阻）：85mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
Id（持续漏极电流）：2A
Vgs(th)（栅源开启电压）：1.2V（典型值）
Qg（栅极电荷）：3nC
fsw（开关频率）：支持高达1MHz的应用
工作温度范围：-55°C至+150°C
DMN3024LSD-13具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够显著降低传导损耗，提高效率。
2. 小巧的SOT23-3封装形式，适合空间受限的设计。
3. 高速开关能力，适用于高频DC-DC转换器等应用。
4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 低栅极电荷设计，有助于减少驱动损耗。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
这些特点使得DMN3024LSD-13在众多需要高性能、小尺寸的场合中表现出色。
DMN3024LSD-13广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 负载开关，用于保护下游电路免受过流或短路的影响。
3. DC-DC转换器，特别是在便携式电子产品中提供高效的电压调节。
4. 电池供电设备，如移动电话、平板电脑和其他手持装置。
5. 工业自动化系统中的信号切换。
6. 电机驱动和LED驱动电路。
凭借其卓越的性能和可靠性，DMN3024LSD-13成为许多工程师在低功率应用中的首选解决方案。
DMN3029LSD-7,
NTMFS4C69T,
Si2316DY
