型号：DMN3020LK3-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-23
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：-1.9A（@ Vgs = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.8A
　　导通电阻Rds(on)：55mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　导通电阻Rds(on)：75mΩ（@ Vgs = -2.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-0.5V ~ -1V
　　输入电容（Ciss）：270pF（@ Vds=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　极性：P沟道

DMN3020LK3-13的P沟道结构使其在高边开关应用中表现出色，特别是在需要简单驱动逻辑的低压系统中。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，这对于电池供电设备尤为重要。例如，在移动设备或可穿戴产品中，该MOSFET可用于电源开关或负载切换，有效延长电池寿命。该器件在Vgs为-4.5V时的Rds(on)仅为55mΩ，在更低驱动电压如-2.5V下也能保持75mΩ的良好表现，说明其具备优异的低电压驱动能力，兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号。
　　该MOSFET采用SOT-23封装，尺寸紧凑，典型尺寸约为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm，便于在空间受限的设计中实现高集成度布局。同时，该封装具有良好的热传导性能，结合合理的PCB铜箔设计可有效散热，确保器件在额定功率范围内稳定运行。其最大连续漏极电流可达-1.9A，脉冲电流高达-4.8A，表明其具备一定的瞬态负载承受能力，适用于启动电流较大的负载控制场景。
　　器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛的环境条件下稳定工作，适用于工业级和消费类应用。其阈值电压范围为-0.5V至-1V，确保了在关断状态下具有良好的抗干扰能力，防止误开启。输入电容仅为270pF，有助于减少开关过程中的驱动功耗和延迟，提升开关速度。此外，该器件内置一定的ESD保护机制，增强了在生产、装配和使用过程中的鲁棒性。综合来看，DMN3020LK3-13是一款兼具高性能、小尺寸与高可靠性的P沟道MOSFET，特别适合用于便携式设备中的电源管理模块。

DMN3020LK3-13常用于各类低电压、低功耗的电子系统中，作为电源开关或负载控制元件。典型应用包括智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携式设备中的电池电源管理，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或故障隔离。在这些设备中，它可作为高边开关直接控制VCC到负载的连接，利用其P沟道特性简化驱动电路设计，无需额外电荷泵即可实现完全关断。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流或电源路径选择电路，尤其是在反向电流阻断或电源多路复用场景中发挥重要作用。例如，在双电源输入系统（如USB供电与电池供电切换）中，DMN3020LK3-13可用于自动选择主供电源并防止倒灌电流。
　　在工业和消费类电子产品中，该MOSFET还可用于LED驱动开关、传感器电源控制、I/O端口保护以及热插拔电路中。由于其具备良好的开关特性和稳定性，也可用于信号通断控制，如音频通道切换或通信线路隔离。总之，凡是在3.3V或5V系统中需要小型化、低功耗、高效率的开关解决方案，DMN3020LK3-13都是一个理想的选择。

DMG2301U-7
　　FDN302P
　　ZXM61P02F