时间：2025/6/22 10:51:43
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DMN3016LSS 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用小型化的 SOT23 封装，适用于空间受限的应用场景。DMN3016LSS 具有低导通电阻 (
典型值为 0.55Ω)，可提供高效率和出色的热性能。
其额定电压为 30V，适合用于消费电子、通信设备及计算机周边等领域的开关或负载驱动应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：0.55Ω（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：4nC（最大值）
功耗：0.33W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT23
DMN3016LSS 的主要特点是其低导通电阻和紧凑的封装设计。这种组合使得 DMN3016LSS 在需要高效能与小体积解决方案的应用中表现出色。
此外，该器件具有较快的开关速度，这有助于降低开关损耗并提高整体系统效率。
由于采用了先进的制程技术，DMN3016性和可靠性，即使在极端环境条件下也能保持稳定运行。
同时，它的低栅极电荷特性使其非常适合高频操作。
DMN3016LSS 广泛应用于各种低功率和便携式电子产品中，例如手机充电器、USB 集线器、电池管理模块以及固态硬盘。
此外，它也常被用作负载开关或同步整流器的一部分，在 DC-DC 转换器和 LED 驱动电路中发挥重要作用。
由于其小型化的设计和出色的电气性能，DMN3016LSS 成为了许多对空间敏感设计的理想选择。
DMN2998USN-7,
DMN2999USN-7,
BSZ0520N,
FDD8880
