时间：2025/8/2 7:58:56
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DMN3016LSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT26（SOT-26）封装形式。该器件具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能，适用于负载开关、电源管理和电池供电设备等应用。DMN3016LSS-13以其小型封装和高效能设计，成为许多便携式电子设备中的理想选择。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：-30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：-1.7A
导通电阻(Rds(on))：最大值160mΩ @ Vgs = -10V，最大值240mΩ @ Vgs = -4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT26（SOT-26）
DMN3016LSS-13具备多个显著特性，使其在各种电子应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。其次，其P沟道结构设计使其适用于高边开关应用，例如在电源管理和电池供电系统中作为负载开关使用。该器件的栅极驱动电压范围较广，支持-10V和-4.5V的导通操作，这使得它能够与多种控制电路兼容，包括微控制器和电源管理IC。此外，DMN3016LSS-13采用SOT26封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的散热性能，确保在较高工作温度下仍能稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应了广泛的工业环境应用需求。最后，该MOSFET具有高可靠性，符合RoHS标准，且无卤素，符合现代环保要求。
在热性能方面，DMN3016LSS-13的封装设计提供了良好的热阻特性，确保在高电流工作条件下也能维持较低的结温，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下提供一定程度的保护，减少因意外电压尖峰导致的失效风险。
DMN3016LSS-13广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、电池供电设备、负载开关控制、DC-DC转换器、逻辑电平转换电路以及便携式消费电子产品。例如，在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，它可作为电源开关用于控制不同模块的供电，从而实现节能和延长电池寿命。此外，在工业控制系统中，DMN3016LSS-13也可用于驱动小型继电器、LED背光模块以及传感器供电电路。由于其优异的热性能和高可靠性，该器件还适用于需要长时间稳定运行的工业设备和通信设备中。
AO3401, Si3442DSV-T1-GE3, FDN304P
