时间：2025/6/17 19:43:10
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DMN3011LSS 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。它具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于需要高效能和低损耗的电源管理应用。该器件采用 SO-8 封装形式，适合表面贴装技术(SMT)，并具备良好的热性能。
型号：DMN3011LSS
品牌：Diodes Incorporated
类型：N 沟道 MOSFET
封装：SO-8
Vds（漏源极电压）：30V
Vgs（栅源极电压）：±20V
Rds(on)（导通电阻，最大值）：7.5mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏极电流）：14A
功耗：1.9W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷：6nC
反向恢复时间：无（因无体二极管）
DMN3011LSS 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其逻辑电平驱动能力使其能够直接由微控制器或数字电路控制，无需额外的驱动级。
该器件还具备快速开关速度，可以有效降低开关损耗。
此外，SO-8 封装提供了良好的散热特性和电气隔离性能，确保在高电流和高频应用中的稳定性。
由于其宽广的工作温度范围，DMN3011LSS 也能够在恶劣环境条件下可靠运行。
DMN3011LSS 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS) 中的同步整流器
2. DC-DC 转换器中的开关元件
3. 电池管理系统(BMS) 中的负载开关
4. 电机驱动和逆变器
5. 移动设备和平板电脑中的电源管理
6. 固态继电器和保护电路
这些应用都利用了 DMN3011LSS 的低导通电阻、快速开关能力和高电流处理能力等优势。
DMN3029LSS, IRLML6402, FDN360P
