DMN3010LSS是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,采用SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品的负载开关应用以及多节电池供电系统的保护电路。
由于其紧凑的封装尺寸和优异的电气性能,DMN3010LSS在空间受限的设计中表现尤为突出,广泛应用于手机、平板电脑以及其他小型化电子产品中的电源管理电路。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻(典型值):65mΩ
栅极电荷:4.7nC
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:SOT-23
DMN3010LSS具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可降低功耗并提高效率。
2. 快速的开关速度,能够适应高频应用环境。
3. 小型SOT-23封装设计,适合紧凑型PCB布局。
4. 高可靠性和宽温度范围,确保在多种环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特点使得DMN3010LSS成为需要高效能和小体积的应用的理想选择。
DMN3010LSS主要应用于以下领域:
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 多节锂电池组保护电路。
3. 消费类电子产品中的电源管理。
4. 工业控制和通信设备中的信号切换。
5. 各种低电压、小电流的DC-DC转换器设计。
其高效的开关特性和低功耗使其特别适合对能效要求较高的场景。
DMN2990USG, DMN2997UFG