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DMN3010LSS 发布时间 时间:2025/5/7 13:06:24 查看 阅读:10

DMN3010LSS是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,采用SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品的负载开关应用以及多节电池供电系统的保护电路。
  由于其紧凑的封装尺寸和优异的电气性能,DMN3010LSS在空间受限的设计中表现尤为突出,广泛应用于手机、平板电脑以及其他小型化电子产品中的电源管理电路。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):65mΩ
  栅极电荷:4.7nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:SOT-23

特性

DMN3010LSS具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可降低功耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,能够适应高频应用环境。
  3. 小型SOT-23封装设计,适合紧凑型PCB布局。
  4. 高可靠性和宽温度范围,确保在多种环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  这些特点使得DMN3010LSS成为需要高效能和小体积的应用的理想选择。

应用

DMN3010LSS主要应用于以下领域:
  1. 便携式电子设备中的负载开关。
  2. 多节锂电池组保护电路。
  3. 消费类电子产品中的电源管理。
  4. 工业控制和通信设备中的信号切换。
  5. 各种低电压、小电流的DC-DC转换器设计。
  其高效的开关特性和低功耗使其特别适合对能效要求较高的场景。

替代型号

DMN2990USG, DMN2997UFG

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