时间：2025/12/26 8:37:15
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DMN2990UFA-7B是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低电压、P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率和高密度电源管理应用而设计，尤其适用于便携式电子设备中的负载开关、电池管理、电源路径控制以及信号切换等场景。其小型化封装与卓越的电气特性使其在空间受限且对功耗敏感的应用中表现出色。DMN2990UFA-7B采用1.8V逻辑电平兼容的栅极驱动，可直接由低压微控制器或数字信号处理器驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。该MOSFET具有极低的导通电阻（RDS(on)），在降低传导损耗方面表现优异，有助于提升系统能效和热性能。此外，其快速开关能力减少了开关过程中的能量损耗，进一步增强了系统的动态响应能力。DMN2990UFA-7B采用无铅、符合RoHS标准的封装工艺，满足现代电子产品对环保与可靠性的严格要求。该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端以及其他需要高效电源管理的消费类电子产品中。
型号：DMN2990UFA-7B
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDSS)：-20V
最大栅源电压(VGSS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-4.4A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-11A
导通电阻(RDS(on)_max @ VGS = -4.5V)：30mΩ
导通电阻(RDS(on)_max @ VGS = -2.5V)：36mΩ
导通电阻(RDS(on)_max @ VGS = -1.8V)：45mΩ
栅极电荷(Qg)：5.5nC @ VGS = -4.5V
输入电容(Ciss)：280pF @ VDS = -10V
开启延迟时间(t_d(on))：5ns
关闭延迟时间(t_d(off))：10ns
上升时间(tr)：4ns
下降时间(tf)：4ns
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-363 (SC-88)
安装类型：表面贴装(SMT)
DMN2990UFA-7B基于先进的TrenchFET?沟槽型MOSFET工艺制造，这种结构通过优化单元设计显著降低了单位面积下的导通电阻，同时提升了器件的电流处理能力。其P沟道设计允许在高边开关配置中实现简单而高效的控制逻辑，特别适合用于电源开关和反向电流阻断功能。由于采用了先进的制程技术，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持出色的导通性能，例如在-1.8V的VGS条件下，RDS(on)仅为45mΩ，这使得它能够与现代低电压数字IC无缝接口，避免了额外电平移位器的需求。
该MOSFET具备非常低的栅极电荷（Qg=5.5nC）和米勒电荷（Qgd），这直接导致了更快的开关速度和更低的开关损耗，非常适合高频开关操作的应用环境。低电容特性也减少了对驱动电路的负载，提高了整体系统的响应速度与效率。此外，其紧凑的SOT-363六引脚封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局降低了寄生电感和电阻，进一步提升了高频性能与热稳定性。
热性能方面，DMN2990UFA-7B能够在高达+150°C的结温下稳定运行，并具备良好的热关断保护能力。其ESD防护能力较强，HBM模型下可达±2000V，增强了在生产装配和现场使用中的可靠性。所有材料均符合无卤素与绿色制造标准，支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线。综合来看，这款器件在小型化、高效能与易用性之间实现了理想平衡，是现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案之一。
DMN2990UFA-7B广泛应用于各类需要低电压、小尺寸、高效率电源管理的电子系统中。常见用途包括移动设备中的电池供电路径控制，如智能手机和平板电脑中主电池与备用电源之间的切换管理；也可作为负载开关用于上电时序控制，防止浪涌电流冲击系统电源轨。在便携式医疗设备、智能手表、无线耳机等可穿戴产品中，该器件因其超小封装和低静态功耗特性而被用于电源门控以延长续航时间。
此外，它还可用于USB端口的电源开关或过流保护电路中，配合限流IC实现安全的插拔检测与供电控制。在FPGA、DSP或MCU的I/O电压域隔离设计中，DMN2990UFA-7B可用于电平转换或电源域隔离开关，确保不同电压区域间的正确通信与断电隔离。其快速响应能力也使其适用于信号路由或多路复用场景，在音频或传感器信号通道中实现精确的通断控制。
工业与物联网领域中，该MOSFET可用于远程传感器节点的节能模式控制，通过软件指令周期性地切断非关键模块的供电来实现深度休眠状态下的功耗优化。同时，其稳定的低温性能保证了在极端环境下的可靠运行。综上所述，DMN2990UFA-7B凭借其优异的电气特性和紧凑封装，成为众多高集成度、低功耗系统设计中的首选P沟道MOSFET器件。
DMG2302UK-7
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FDC630P
