型号：DMN2600UFB-7
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装/包装：SOT-363（SC-88）
　　漏源电压(Vdss)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：-1.9A
　　脉冲漏极电流(Idp)：-4.6A
　　导通电阻(Rds(on))：55mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：75mΩ @ Vgs = -2.5V
　　导通电阻(Rds(on))：100mΩ @ Vgs = -1.8V
　　阈值电压(Vgs(th))：-0.85V ~ -1.4V
　　栅极电荷(Qg)：4.3nC @ Vds = 10V, Id = 1.9A
　　输入电容(Ciss)：290pF @ Vds = 10V
　　反向恢复时间(trr)：16ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散(Pd)：500mW

DMN2600UFB-7采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种垂直沟槽结构显著降低了器件的导通电阻（Rds(on)），同时提升了单位面积下的电流承载能力。其典型的Rds(on)值在-4.5V栅压下仅为55mΩ，即使在-2.5V逻辑电平驱动下也能保持75mΩ的低阻状态，这使得它非常适用于低电压、高效率的电源管理系统。由于其P沟道特性，该MOSFET特别适合用于高端开关应用，例如电池供电设备中的电源通断控制，能够在不增加额外电平移位电路的情况下直接由微控制器驱动。
　　该器件的小信号封装SOT-363不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具备良好的热传导性能，结合合理的布局设计可有效散热。其低栅极电荷（Qg=4.3nC）和输入电容（Ciss=290pF）特性减少了驱动电路的功耗并加快了开关速度，从而提高了系统的动态响应能力和整体效率。这对于频繁启停或需要快速切换的应用（如PWM调光、负载切换）尤为重要。
　　DMN2600UFB-7具有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业控制、汽车电子及户外设备等应用场景。其阈值电压范围为-0.85V至-1.4V，属于低阈值类型，可在3.3V甚至更低的系统电压下实现充分导通，避免因驱动不足导致的过热问题。
　　此外，该MOSFET具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的自我保护。其反向恢复时间（trr=16ns）相对较短，有助于减少体二极管导通时的能量损耗，提升在同步整流等应用中的表现。整体而言，DMN2600UFB-7是一款集高性能、小型化与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，广泛应用于现代便携式电子产品的电源管理模块中。

DMN2600UFB-7因其低导通电阻、小封装尺寸和优异的开关特性，被广泛应用于多种便携式和低功耗电子系统中。最常见的用途之一是作为高端负载开关，用于控制电池供电设备中不同功能模块的电源通断，例如在智能手机中管理显示屏、传感器或无线通信模块的供电，以实现节能待机或系统休眠模式。
　　在电源管理单元（PMU）或DC-DC转换器中，该器件可用于P沟道同步整流拓扑，替代传统的肖特基二极管，从而降低导通损耗，提高转换效率。特别是在升压或降压变换器的上桥臂开关中，其低Rds(on)和快速开关响应能够有效减少能量损耗和发热。
　　另一个重要应用是在电池反接保护电路中。当用户错误连接电源极性时，DMN2600UFB-7可以阻止电流反向流动，防止后级电路受损。这种保护机制简单高效，无需复杂外围元件即可实现。
　　此外，该器件也常用于热插拔电路、电源多路复用（power muxing）、USB端口电源控制以及LED背光驱动等场景。其SOT-363封装非常适合高密度贴装，适用于自动化生产流程。在汽车电子中，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助电源管理，前提是确认其符合相关车规要求。总之，凡是在需要高效、小型化P沟道开关的场合，DMN2600UFB-7都是一个极具竞争力的选择。

DMG2600UFG-7
　　DMP2600UFG-7
　　FDG9260C