时间：2025/5/23 9:43:05
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DMN2501UFB4是来自Diodes Incorporated的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用UF-3B封装形式，适合用于高频开关应用。它具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点，广泛应用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：6nC（典型值）
总电容：230pF（输入电容）
工作温度范围：-55℃至150℃
DMN2501UFB4是一款专为高效能设计优化的MOSFET器件。
它具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频操作环境，能够满足现代电子设备对高速开关的需求。
3. 小型化的UF-3B封装形式，能够在有限的空间内提供高性能表现，非常适合空间受限的应用场景。
4. 较宽的工作温度范围（-55℃至150℃），确保其在各种严苛环境下稳定运行。
5. 高度可靠的设计，具备优异的电气特性和热稳定性。
这些特性使得DMN2501UFB4成为多种电源管理应用的理想选择。
DMN2501UFB4适用于以下应用场景：
1. 消费类电子产品中的电源管理模块，例如手机充电器、适配器等。
2. 负载开关设计，用于控制电路中不同负载的开启与关闭。
3. 各种DC-DC转换器电路，包括降压、升压及升降压转换器。
4. 电池供电设备中的保护电路，如过流保护和短路保护。
5. 工业自动化设备中的信号切换与驱动电路。
由于其出色的性能和紧凑的封装，DMN2501UFB4在众多领域均表现出色。
DMN2501UFH4
DMN2501UFG4
