时间：2025/12/23 22:30:55
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DMN24H3D5L是一款由Diodes公司生产的N沟道MOSFET，采用微型SOT23封装形式。该器件主要应用于低电压、高效率的开关电源、负载开关、DC-DC转换器和便携式电子设备中。其卓越的导通电阻和极低的栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
该MOSFET的额定电压为30V，能够满足大多数低压系统的使用需求。同时，其超小型封装有助于减少电路板空间占用，特别适合对体积有严格要求的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：85mΩ
栅极电荷：11nC
总电容：13pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
DMN24H3D5L具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保了高效能表现并减少了功率损耗。
2. 小型SOT23封装设计，适合空间受限的电路布局。
3. 高速开关性能得益于较低的栅极电荷（Qg）和总电容（Ciss）。
4. 宽泛的工作温度范围，支持在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 静电防护能力达到2kV（HBM），提高了器件的抗干扰能力。
该器件广泛应用于各种需要高效能、小尺寸的场合，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 负载开关和电池管理模块。
3. DC-DC转换器中的开关元件。
4. 便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和其他消费类电子设备。
5. 电机驱动和信号切换等应用场景。
DMN24H3D5L凭借其优异的电气特性和紧凑的设计，成为众多现代电子系统中的理想选择。
DMN24H3D5T1G, DMN24H3D5T1GE, BSS138, 2N7002
