型号：DMN24H3D5L-7
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装/包：SOT-23
　　最大漏源电压(Vdss)：-20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id) @ 25°C：-1.9A
　　最大脉冲漏极电流(Idm)：-4.8A
　　导通电阻(Rds on) @ Vgs = -4.5V：-65mΩ
　　导通电阻(Rds on) @ Vgs = -2.5V：-85mΩ
　　导通电阻(Rds on) @ Vgs = -1.8V：-110mΩ
　　阈值电压(Vgs(th)) @ Id = -250μA：-0.6V ~ -1.5V
　　栅极电荷(Qg) @ Vds = -10V, Id = -1.9A：2.3nC
　　输入电容(Ciss) @ Vds = -10V：135pF
　　反向恢复时间(trr)：未指定
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗(Junction-to-Ambient, Rθja)：350°C/W
　　热阻抗(Junction-to-Case, Rθjc)：150°C/W
　　极性：P-Channel

DMN24H3D5L-7具备出色的电气性能与紧凑的物理尺寸相结合的特点，特别适用于高密度PCB布局中的功率开关应用。其核心优势之一是低导通电阻，在Vgs = -4.5V时Rds(on)仅为65mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其适合用于电池供电系统中延长续航时间。
　　该器件还具有较低的栅极电荷（Qg = 2.3nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，从而加快了开关速度并减少了动态损耗，提升了高频操作下的效率。这一特性使其非常适合用作负载开关或电源路径控制元件，例如在多电源系统中实现自动切换或上电排序功能。
　　由于采用SOT-23封装，DMN24H3D5L-7拥有良好的热性能和机械稳定性，尽管封装体积小，但仍能承受一定的电流负载（最高-1.9A）。其阈值电压范围合理（-0.6V至-1.5V），可在低电压逻辑信号下可靠开启，兼容3.3V甚至1.8V的控制接口，增强了系统设计的灵活性。
　　此外，该MOSFET具有较高的输入电容（Ciss = 135pF），虽然在高速开关中可能引入轻微延迟，但通过适当的栅极驱动设计可以有效控制。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和消费类多种应用场景。
　　总体而言，DMN24H3D5L-7以其小尺寸、低功耗、高可靠性及良好的性价比，在现代便携式电子设备中扮演着关键角色，尤其是在需要高效电源管理的小信号开关电路中表现优异。

DMN24H3D5L-7常用于各类低电压、低功耗的电源管理与信号控制场合。典型应用包括便携式消费电子产品中的电池供电系统电源开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理模块。它也可作为反向电流阻断器使用，防止电池反向放电，保护主电源回路。
　　在嵌入式系统和物联网节点中，该器件可用于微控制器I/O口扩展的开关控制，实现对外设电源的按需启停，以降低待机功耗。同时，它适用于各类DC-DC转换器的同步整流辅助电路、逻辑电平转换器中的有源开关元件，以及音频信号路径中的静音控制开关。
　　由于其支持1.8V以上逻辑电平驱动，因此能够与现代低电压数字IC直接接口，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。此外，在热插拔电路、USB端口电源控制、LED背光调光驱动等领域也有广泛应用。其小型化封装特别适合空间受限的高集成度PCB布局，是许多微型电子模块中不可或缺的核心功率开关元件。

DMG2304L-7
　　DMP2008UFG-7
　　AO3415
　　FDC630P