时间：2025/5/8 10:39:31
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DMN2451UFB4Q是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的DFN封装，适合于空间受限的应用场景。它具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。
这款MOSFET特别适合用于负载开关、DC-DC转换器、同步整流、电池保护电路以及消费电子产品的各种功率控制场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ
栅极电荷：6.5nC
总电容（Ciss）：820pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMN2451UFB4Q具备极低的导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了效率。
其快速的开关速度有助于降低开关损耗，并且可以支持高频操作。
器件采用DFN2020-8无引脚表面贴装封装，这种封装方式不仅减小了PCB空间占用，还提升了热性能和电气性能。
此外，它具有优异的静电防护能力（ESD），能够承受高达2kV的人体模型（HBM）放电，增强了器件的可靠性。
该器件符合RoHS标准，环保且适合大批量生产环境。
DMN2451UFB4Q广泛应用于消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等的电源管理系统。
在计算机及其外设领域，它可用于USB端口保护、硬盘驱动器控制等。
通信设备中，该MOSFET适用于信号调节、电源开关等功能。
工业应用方面，它可以作为电机控制、LED照明调光及驱动的功率开关元件。
同时，在汽车电子系统里，它也能用作电池保护、负载切换等功能模块的核心部件。
DMN2452UFCE
DMN2453UFCE
BSC017N06NS3
IRLML6402
