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DMN2310UW 发布时间 时间:2025/5/29 20:11:50 查看 阅读:9

DMN2310UW 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET,采用小尺寸 DPAK 封装。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景,广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等电路中。
  DMN2310UW 的设计使其能够在高频条件下提供出色的性能表现,并且其较低的导通电阻有助于减少功率损耗。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:4.9A
  导通电阻(典型值):40mΩ
  栅极阈值电压:1.2V 至 2.5V
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

DMN2310UW 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保高效运行并减少发热。
  2. 高速开关能力,支持高频应用。
  3. 较低的栅极电荷 (Qg),可降低驱动损耗。
  4. 增强的热性能,适合紧凑型设计。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,能够适应恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。
  7. 提供逻辑电平驱动支持,简化电路设计。
  8. 可靠性高,适用于工业及消费类电子设备。

应用

DMN2310UW 在以下领域中有广泛应用:
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 各类电机驱动电路。
  5. 照明系统中的 LED 驱动控制。
  6. 通信设备中的信号切换。
  7. 工业自动化设备中的电源管理模块。
  8. 消费类电子产品中的电源保护电路。

替代型号

DMN2990UW, DMN2311UW, PMEG200EUA

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