时间：2025/6/19 14:23:44
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DMN2112SN-7 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Diodes 公司生产。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种电源管理、负载切换以及信号控制应用。
DMN2112SN-7 的封装形式为 SOT-23-3L 小型表面贴装封装，便于在紧凑型设计中使用。其低导通电阻和高电流能力使其成为便携式设备的理想选择。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻（Rds(on)）：0.095Ω（典型值，当 Vgs=4.5V 时）
总功耗：400mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT-23-3L
DMN2112SN-7 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 支持低至 2.5V 的栅极驱动电压，非常适合电池供电设备。
4. 静态电流极低，有助于延长电池寿命。
5. 提供反向传输电容小，确保更快的开关过渡时间。
6. 工作温度范围宽，适应多种环境条件。
DMN2112SN-7 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池保护电路，用于防止过充或过放。
3. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率级开关。
4. LED 驱动电路，调节电流以实现亮度控制。
5. 数据通信接口保护及信号控制。
6. 多种低压、大电流工业应用中的电子开关。
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