时间：2025/5/19 18:31:31
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DMN2075UDW是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于各种功率转换和负载开关应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的设计环境。
DMN2075UDW采用了UD-SON5x6封装形式，这种封装能够提供出色的散热性能，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，当Vgs=4.5V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
工作结温范围：-55℃至150℃
封装形式：UD-SON5x6
DMN2075UDW具有低导通电阻的特点，从而减少了传导损耗，提高了整体效率。
该器件的快速开关性能有助于降低开关损耗，并减少电磁干扰（EMI）。
由于采用了UD-SON5x6封装，该MOSFET具备良好的热性能和电气性能，同时支持表面贴装，适合大批量生产。
其高可靠性设计确保了在恶劣环境下的稳定运行，非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
DMN2075UDW广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
常见的应用场景包括：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流器
- DC-DC转换器中的开关元件
- 负载开关和电池保护电路
- LED驱动和电机驱动
- 各类便携式设备中的功率管理单元
由于其小尺寸和高效能，该器件特别适合手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理模块。
DMN2075SDD, DMN2076UDW
