DMN2056U是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET。该器件采用微型DFN3030-12封装,具有极低的导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备、负载开关、电源管理以及其他需要高效能和小尺寸的应用场景。
这款MOSFET在低压应用中表现出色,其设计优化了空间利用率和热性能,同时确保了卓越的电气性能。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:4.2A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:6nC
开关速度:快速
封装类型:DFN3030-12
工作温度范围:-55℃至150℃
DMN2056U以其超低的导通电阻著称,能够显著降低传导损耗,从而提升整体系统效率。其小型化的DFN3030-12封装非常适合对空间敏感的设计,例如移动设备、可穿戴产品和其他便携式电子设备。
此外,DMN2056U具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较高的结温下保持稳定的性能。快速的开关速度使其成为高频开关应用的理想选择,同时降低了电磁干扰(EMI)的可能性。
该器件还支持高脉冲电流能力,在瞬态条件下也能维持良好的表现。综合来看,DMN2056U凭借其高效的能量转换特性和紧凑的外形,为现代电子设计提供了极具吸引力的选择。
DMN2056U广泛应用于各种消费类电子产品及工业领域,具体包括:
- 便携式电子设备中的负载开关
- 移动设备电池充电器电路
- 小型DC-DC转换器
- 可穿戴设备的电源管理系统
- 低功耗音频放大器
- 各种保护电路,如过流保护和短路保护
由于其优异的性能和紧凑的设计,DMN2056U在需要高效能与小型化解决方案的场合特别受欢迎。
DMN2057U
DMN2058U
Si2319DS
BSS138