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DMN2053UW 发布时间 时间:2025/5/26 19:19:38 查看 阅读:13

DMN2053UW是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET晶体管。它采用了UFQFN4封装形式,具有小尺寸和低热阻的特点,非常适合于需要高效率和紧凑设计的应用场景。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及便携式电子设备等场合。
  这款MOSFET在性能上表现出极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗并提高整体系统效率。同时,它还具备出色的开关特性和耐受能力,确保在各种复杂环境下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.8A
  导通电阻(Rds(on)):75mΩ
  栅极电荷:1.9nC
  总电容(Ciss):340pF
  工作结温范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:UFQFN4

特性

DMN2053UW具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提升效率。
  2. 小型化的UFQFN4封装,节省PCB空间,适合便携式和高密度设计。
  3. 高开关速度和低栅极电荷,适合高频应用。
  4. 宽泛的工作温度范围,可适应多种环境条件。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

DMN2053UW适用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 负载开关及电池保护电路。
  4. 便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理。
  5. LED驱动器和其他低功率消费类电子产品。

替代型号

DMN2053SFN, DMN2053LYM

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