时间：2025/4/25 16:06:11
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DMN2050LFDB 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸 LFDB (Low-Profile Dual-in-Line Flatpack with Leads - Bottom Tab) 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于消费类电子、通信设备及计算机外设等应用中的电源管理与负载开关场景。
DMN2050LFDB 通过优化的制造工艺实现了出色的电气性能，并且其封装形式支持高效的散热特性，能够在紧凑空间内提供稳定的运行表现。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：6.1A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷(Qg)：3nC（典型值）
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装类型：LFDB
DMN2050LFDB 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频操作环境。
3. 小型化 LFDB 封装设计，适合对空间敏感的应用场合。
4. 较高的电流承载能力，能够满足多种负载需求。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 支持宽泛的工作温度范围，保证在极端条件下的可靠性。
DMN2050LFDB 可广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. 便携式电子产品中的电源管理模块。
3. 计算机及其外围设备的 DC/DC 转换电路。
4. 各类电池供电系统的保护与控制功能。
5. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器组件。
6. LED 驱动器以及电机驱动应用中的关键元件。
DMN2050UFG, DMN2050LSD
