时间：2025/5/19 14:35:22
阅读：7
DMN2041UFDB是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用MicroFET封装技术。该器件适用于低电压、高效率的应用场景，具有较低的导通电阻和快速开关特性。它通常用于消费类电子设备中的负载开关、DC-DC转换器、电池管理电路以及各种便携式设备中。
型号：DMN2041UFDB
品牌：Diodes Incorporated
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：6.5mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
Id（持续漏电流）：4.7A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.2V（典型值）
封装形式：SOT-363（DFN1010-3）
工作温度范围：-55℃至150℃
DMN2041UFDB是一款小型表面贴装功率MOSFET，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够显著降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用场合，例如DC-DC转换器和负载开关。
3. 小尺寸封装（SOT-363），非常适合空间受限的设计环境。
4. 宽工作温度范围，使其能够在严苛环境下稳定运行。
5. 高静电防护能力（HBM ESD >2kV），提高了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
DMN2041UFDB通过优化设计，实现了高性能与小体积的结合，适合现代电子产品对高效能和紧凑设计的需求。
DMN2041UFDB广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理。
2. 移动设备及便携式设备的电池保护和充电控制。
3. 各种降压和升压DC-DC转换器电路。
4. 电机驱动和信号切换。
5. LED驱动和背光调节。
由于其出色的电气特性和紧凑封装，DMN2041UFDB成为众多低功率、高效率应用场景的理想选择。
DMN2040UFDB
DMN2042UFDB
BSS138
FDS2543
