时间：2025/4/28 17:12:48
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DMN2028UVT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用超小型 UT-3 封装。该器件主要应用于需要高效能和低导通电阻的场景，适用于高密度设计场合。它能够提供卓越的开关性能和较低的功耗，非常适合电池供电设备和其他对效率要求较高的应用。
型号：DMN2028UVT
封装：UT-3
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：7.5mΩ
Id（连续漏极电流）：4.9A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.1V~2.2V
Qg（栅极电荷）：6nC
f（工作频率范围）：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃~150℃
DMN2028UVT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 7.5mΩ，能够显著降低导通损耗。
2. 高速开关性能，支持高达 1MHz 的开关频率，满足高频应用需求。
3. 小型化封装 UT-3，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
4. 栅极驱动电压低至 1.1V，兼容低压控制信号，方便与微控制器或逻辑电路接口。
5. 具有出色的热稳定性和可靠性，能够在 -55℃ 至 150℃ 的宽温范围内正常工作。
6. 提供了良好的 ESD 保护能力，增强了器件在实际应用中的抗干扰能力。
DMN2028UVT 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备充电器及适配器中的同步整流电路。
2. 便携式电子设备的负载开关和电源管理。
3. LED 驱动器中的电流调节和控制。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. DC/DC 转换器中的高频开关元件。
6. 电池管理系统中的保护和切换功能。
7. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
DMN2028UFH, DMN2028SNT
