时间：2025/8/2 9:37:33
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DMN2028UFU-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种电源管理和开关应用。该器件采用小型TSOT26封装，适合空间受限的设计。DMN2028UFU-7具有低导通电阻、高可靠性以及良好的热稳定性，使其成为便携式电子产品、电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关应用中的理想选择。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：-500mA @ 25°C
导通电阻(Rds(on))：最大值为0.33Ω @ Vgs = -4.5V，0.41Ω @ Vgs = -2.5V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOT26
DMN2028UFU-7具有多个显著特性，确保其在各种应用中的高性能和可靠性。首先，其低导通电阻(Rds(on))使得在导通状态下功耗极低，有助于提高系统的整体效率。此外，该器件在低栅极电压下也能有效工作，支持在低电压电源管理系统中使用，例如在电池供电设备中实现更长的续航时间。
其次，DMN2028UFU-7采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供优异的开关性能和稳定的热特性，从而确保在高频率开关应用中的稳定运行。其高栅极击穿电压（±8V）提高了器件在恶劣工作环境下的抗干扰能力。
此外，该MOSFET具备优良的耐用性和热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于高可靠性要求的工业和消费类应用。TSOT26封装不仅节省空间，还便于在高密度PCB布局中使用。
DMN2028UFU-7广泛应用于多个领域，包括便携式电子设备中的电源开关控制、电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关和低电压功率调节电路。此外，该器件也适用于USB电源管理、LED驱动电路、工业自动化设备和智能传感器系统中的电源管理模块。
Si3442DV-T1-GE3, BSS84LT1G, DMN2028UFK-7, ZXMP2010E6TC
