DMN2027USS-13-F 时间：2025/5/9 18:41:44 阅读：12

DMN2027USS-13-F 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沃特 (N-Channel) 模拟开关 MOSFET，采用微型 USon-6 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于负载开关、电源管理、信号切换以及便携式设备中的各种开关应用。
　　该器件主要设计用于需要低功耗和小尺寸的应用场合，其优异的电气性能使其成为高效率系统设计的理想选择。

参数

型号：DMN2027USS-13-F
　　封装：USon-6 (DPAK)
　　Vds（漏源电压）：30V
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　Rds(on)（导通电阻）：9.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　Id（连续漏极电流）：11A
　　功率耗散：1.6W
　　工作温度范围：-55°C to +150°C
　　存储温度范围：-65°C to +150°C
　　电容：Ciss=840pF，Crss=80pF，Coss=50pF

特性

DMN2027USS-13-F 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，支持高频操作。
　　3. 高电流处理能力，能够承受高达 11A 的连续漏极电流。
　　4. 工作电压范围宽，可适应多种应用场景。
　　5. 超小型 USon-6 封装，适合空间受限的设计。
　　6. 支持高温环境运行，能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
　　2. 数据通信和网络设备中的信号切换。
　　3. 电池供电设备的电源管理和保护电路。
　　4. 电机控制和驱动电路。
　　5. 开关电源和 DC/DC 转换器。
　　6. LED 驱动电路和其他低压开关应用。