时间：2025/8/2 5:53:20
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DMN2025UFDB-7 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）生产的双 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 Trench MOS 工艺制造，适用于高性能功率管理应用。该器件封装为 SOT26（SOT-26），体积小巧，适合便携式电子设备和空间受限的设计。DMN2025UFDB-7 内部集成了两个独立的 N 沟道 MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高频开关条件下稳定工作。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.9A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT26（SOT-26）
DMN2025UFDB-7 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够减少功率损耗，提高能效。此外，该器件具有快速开关能力，适合用于高频开关电路，如 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统等。由于其采用 Trench MOS 技术，DMN2025UFDB-7 在保持高性能的同时，还具有良好的热稳定性。
另一个显著优势是其双通道设计，允许在同一个封装中实现两个独立的 MOSFET 开关，从而节省 PCB 空间并简化电路布局。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±12V），兼容多种控制电路，提高了设计的灵活性。此外，DMN2025UFDB-7 在高温环境下依然能保持稳定的性能，适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。
DMN2025UFDB-7 主要应用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的 DC-DC 转换器、电池保护电路和负载开关。此外，该器件也广泛用于电机驱动、LED 照明调光、传感器控制和通信设备中的电源切换系统。
在工业自动化领域，DMN2025UFDB-7 可作为小型继电器替代方案，用于 PLC（可编程逻辑控制器）和工业传感器中的信号切换和电源管理。其优异的高频开关性能和低导通电阻也使其适用于无人机、机器人和电动工具中的电机控制电路。
DMN2025UFK-7, DMN2025UFX-7, BSS84LV, 2N7002K, FDN340P
