类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-2.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-8A
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs = -4.5V：36mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs = -2.5V：45mΩ
　　栅极电荷（Qg）：6nC
　　输入电容（Ciss）：390pF
　　开启延迟时间（td(on)）：6ns
　　关断延迟时间（td(off)）：17ns
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

DMN2024U-7采用先进的沟槽MOSFET工艺制造，具备优异的电性能和热稳定性。其最大漏源电压为-20V，能够承受一定的瞬态过压情况，同时栅源电压限制在±12V以内，确保栅极氧化层不会因过压而损坏。该器件的连续漏极电流可达-2.4A，在同类SOT-23封装P沟道MOSFET中属于较高水平，适合驱动中等功率负载。
　　该MOSFET的关键优势在于其低导通电阻特性。在Vgs = -4.5V时，Rds(on)典型值仅为36mΩ，而在更低的驱动电压Vgs = -2.5V下仍能保持45mΩ的低阻值，这使其非常适合用于电池供电系统中，尤其是在3.3V或5V逻辑控制环境下实现高效的电源开关功能。低Rds(on)不仅减少了导通损耗，还降低了发热，提高了整体系统效率。
　　此外，DMN2024U-7具有较小的栅极电荷（Qg = 6nC）和输入电容（Ciss = 390pF），这意味着它可以在高频开关应用中快速响应，减少开关损耗，提升动态性能。开启延迟时间为6ns，关断延迟时间为17ns，配合16ns的体二极管反向恢复时间，表现出良好的开关特性，适用于DC-DC同步整流或高速切换场景。
　　该器件的工作结温范围为-55°C至+150°C，具备出色的热稳定性与可靠性，可在严苛环境条件下长期运行。SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴装，而且具备良好的散热能力，结合PCB布局优化可进一步提升功率处理能力。总体而言，DMN2024U-7是一款集低导通电阻、高电流能力和小封装于一体的高性能P沟道MOSFET，适用于对空间和效率要求较高的现代电子产品设计。

DMN2024U-7因其小尺寸、低导通电阻和良好的开关特性，被广泛应用于多种便携式和高密度电子设备中。常见用途包括作为负载开关，在电源管理电路中控制某个子系统的供电通断，例如在智能手机、平板电脑或嵌入式系统中用于启用或禁用外设模块，从而节省功耗并延长电池寿命。
　　在电池供电系统中，该器件可用于电池反接保护、充放电控制以及电源路径管理。其P沟道结构使得在高端开关配置中易于驱动，尤其适合使用逻辑信号直接控制高边负载的应用。此外，它也常用于DC-DC降压变换器中的上管开关，或者在同步整流拓扑中作为主开关元件，以提高转换效率。
　　其他典型应用场景还包括电机驱动、LED驱动、热插拔电路、USB电源开关以及各种模拟开关电路。由于其支持高达-2.4A的连续电流，并能在低栅极驱动电压下正常工作，因此特别适用于由3.3V或5V微控制器GPIO直接驱动的场合，无需额外电平转换或驱动芯片，简化了设计复杂度。
　　此外，由于SOT-23封装的小型化特点，DMN2024U-7非常适合用于空间受限的消费类电子产品，如可穿戴设备、无线传感器节点、移动电源和小型物联网终端设备。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于工业控制、汽车电子外围模块等对稳定性要求较高的领域。

[
　　 "DMG2024U,DW",
　　 "SI2301-ADJ",
　　 "FDD94N15",
　　 "FDMS7680",
　　 "RTM2024GSP"
　　]